华为天线工程师分析了信号不好的三个可能——基带、射频及天线，前两个部分导致信号不好的可能基本可以排除，认为问题可能出在天线上：iPhone XS第一次做4*4 MIMO，在外观上明显可以看出多开了2条缝，就是为了多加2个天线，从原来的2*2升级到4*4。
很不幸的是，增加天线不是多开个槽就可以多做一个天线这么简单。4*4 MIMO天线同频工作时的隔离度是非常难搞定的，原来的天线体积也会变小，导致性能下降。还会影响GPS/Wi-Fi天线性能。也就是多天线设计不好会适得其反。实测，两天线iPhone XR信号比四天线iPhone XS好。
新款iPhone的不少用户在社交媒体和苹果支持论坛上抱怨iPhone Xs/Xs Max的LTE和WiFi连接性能都很差。相比此前的iPhone，实验室测试显示iPhone Xs和iPhone Xs Max的射频性能令人失望。WiWavelength同时表示，一些用户正在经历的性能问题是由“天线问题”引的，特别与天线增益有关。
英特尔基带的问题？
iPhoneXs/Xs Max的无线连接问题不禁让人联想到其基带处理器供应商英特尔。
此前，iPhone一直使用业界性能最好的高通基带芯片，但由于苹果与高通的专利纠纷，苹果决定从iPhone7开始同时使用高通和英特尔的基带芯片。高通和英特尔的基带均支持下行三路载波聚合，上行两路载波聚合，最大下行数据率可达450 Mbps。但CellularInsights的评测报告显示，在信号较好时，高通和英特尔版的基带芯片性能持平；在信号较差时（-105dBm），高通版本的iPhone7的表现（传输数据率）比英特尔版本高30%；在信号很差（-108 dBm）时，高通版表现更为出色，超出后者75%，这在当时引发了巨大的关注。
去年iPhoneX发布之后，CellularInsights也进行了测试，结果显示尽管英特尔基带芯片尚未赶上高通，但两者的差距明显缩小，英特尔基带芯片能在-129dBm的信号强度上提供一些性能，而不是去年的-125dBm。当然，iPhoneX上搭载的都是高通和英特尔的最新产品，但高通的基带芯片支持4x4 MIMO、四路载波聚合，以及LAA，这些技术可以结合在一起构成“千兆LTE”网络，为了保持产品性能的一致性，这些功能在iPhoneX中被禁用，因为英特尔基带芯片不支持4x4 MIMO或LAA。
